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    • 专利摘要:
    安全光栅输出保护电路，用于光同步安全光栅输出驱动电路，通过实现对接口NPN‑OUT的输出进行过流与过压保护，以及对接口PNP‑OUT的输出进行过流保护，解决了负载被干扰或者在启动瞬间出现负载超载时，驱动三极管被烧毁而导致安全光栅输出驱动电路无法工作的问题。
    公开号:CN214337548U
    申请号:CN202022854410.6U
    申请日:2020-12-01
    公开日:2021-10-01
    发明作者:纪海平
    申请人:Shenzhen Stanbon Technology Co ltd；
    IPC主号:H02H7-20
    专利说明:
    [n0001] 本实用新型涉及安全光栅技术领域，具体涉及一种安全光栅输出保护电路。
    [n0002] 安全光栅输出驱动电路与负载有两个连接接口：NPN-OUT和PNP-OUT，由于用户在应用中容易出现接错线的情况：把NPN-OUT接口线接到了电源正极，把PNP-OUT接口线接到了电源负极，或者把NPN-OUT线和PNP-OUT线短接，这样当负载被干扰或者负载超载时会烧坏安全光栅的驱动三极管，导致安全光栅输出驱动电路无法工作。
    [n0003] 本实用新型的目的是提供安全光栅输出保护电路，通过实现对接口 NPN-OUT的输出进行过流与过压保护，以及对接口PNP-OUT的输出进行过流保护，以使负载被干扰或者在启动瞬间出现负载超载时，避免驱动三极管被烧毁而导致安全光栅输出驱动电路无法工作。
    [n0004] 为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：提供安全光栅输出保护电路，用于光同步安全光栅输出驱动电路，包括双运算放大器U1，MOS 管Q14和Q15，三极管Q9、Q10、Q16、Q17，熔断器DB3和DB4，稳压二极管DZ1，二极管D7、D8、D4、D10、D9、D3、D11，电容C27、C29、C22、 C28、C16、C20、C23、C17，电阻R36、R37、R38、R39、R43、R44、R46、 R40、R41、R47、R42、R20、R23、R12、R29、R17、R11、R24；所述双运算放大器U1的引脚1连接所述二极管Q7的正极，所述二极管Q7的负极分别连接所述电容C27的一端、所述电阻R39的一端以及所述MOS管Q14的栅极，所述电容C27的另一端和所述电阻R39的另一端分别接地，所述MOS管Q14的源极接地，所述MOS管Q14的漏极分别连接所述电阻R20的一端、所述电容C22的一端以及所述电阻R23的一端，所述电容C22的另一端和所述电阻 R23的另一端分别接地，所述电阻R20的另一端连接MCU输出端PN-OUT，所述电阻R23的一端还连接所述三极管Q10的基极，所述三极管Q10的发射极分别连接端子NPN-CK和所述电阻R29的一端，所述电阻R29的另一端接地，所述三极管Q10的集电极分别连接R12的一端、所述熔断器DB4的一端和所述二极管D4的正极的连接点，所述熔断器DB4的一端和所述二极管D4的正极的连接点还连接所述电容C20的一端与所述电容C16的一端的连接点、所述稳压二极管DZ1的负极以及所述电阻R17的一端，所述熔断器DB4的另一端连接接口 NPN-OUT，所述电容C20和所述稳压二极管DZ1的正极分别接地，所述电阻 R17的另一端分别连接所述三极管Q16的集电极和所述三极管Q9的基极，所述三极管Q9的发射极分别连接所述电阻R11的一端和所述电阻R42的一端，所述三极管Q9的集电极分别连接所述熔断器DB3的一端和所述电阻R24的一端，所述电阻R24的另一端接地，所述熔断器DB3的一端还分别连接所述二极管 D3的正极与所述电容C17的一端的连接点、所述电容C23的一端，所述电容 C23的另一端接地，所述熔断器DB3的另一端连接接口PNP-OUT，所述电阻 R12的另一端、所述二极管D4的负极、所述电容C16的另一端、所述电阻R11 的另一端、所述二极管D3的负极以及所述电容C17的另一端相连后接电源VO，所述电容C17的另一端还连接所述二极管D11的负极，所述二极管D11的正极连接电压输入端VIN；
    [n0005] 所述双运算放大器U1的引脚2分别连接所述电阻R36的一端和所述电阻 R37的一端，所述电阻R37的另一端接地，所述电阻R36的另一端接电源5V；所述双运算放大器U1的引脚3连接所述电阻R38的一端，所述电阻R38的另一端连接所述端子NPN-CK，所述双运算放大器U1的引脚4接地，所述双运算放大器U1的引脚8分别连接所述电容C29的一端和电源5V，所述电容C29的另一端接地，所述双运算放大器U1的引脚6分别连接所述电阻R43的一端和所述电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端接地，所述电阻R43的另一端接电源5V；
    [n0006] 所述双运算放大器U1的引脚5分别连接所述电阻R40的一端和所述电阻 R41的一端，所述电阻R40的另一端接地，所述电阻R41的另一端连接所述三极管Q17的集电极，所述三极管Q17的发射极接电源VO，所述三极管Q17的基极连接所述二极管D9的正极，所述二极管D9的负极连接所述二极管D10的正极，所述二极管D10的负极连接所述电阻R42的另一端；所述双运算放大器 U1的引脚7连接所述二极管D8的正极，所述二极管D8的负极依次连接所述电阻46的一端和所述电容C28的一端以及所述MOS管Q15的栅极，所述电阻 R46的另一端和所述电容C28的另一端分别接地，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述电阻R47的一端，所述电阻R47的另一端连接所述三极管Q16的基极，所述三极管Q16的发射极连接电源VO。
    [n0007] 进一步地，所述接口NPN-OUT通过连接负载，经过所述熔断器DB4、所述三极管Q10、所述电阻R29到地线形成NPN输出方式的电流回路。
    [n0008] 进一步地，所述接口PNP-OUT通过连接负载，经过所述熔断器DB3、所述三极管Q9、所述电阻R11到电源VO形成PNP输出方式的电流回路。
    [n0009] 进一步地，所述NPN输出方式用于在负载回路起到开关作用，所述MCU 输出端PN-OUT输出的控制信号经过所述电阻R20传递至所述三极管Q10的控制脚，所述三极管Q10用于实现负载回路的开关作用；所述MCU输出端PN-OUT 输出的控制信号为高电平时，所述三极管Q10接通，负载回路导通；所述MCU 输出端PN-OUT输出的控制信号为低电平时，所述三极管Q10关断，负载回路断开。
    [n0010] 进一步地，所述PNP输出方式用于为负载提供受控电源，所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为高电平时，所述三极管Q10接通，从而使所述三极管Q9接通，电源VO通过所述电阻R11和所述三极管Q9提供至负载；所述 MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为低电平时，所述三极管Q10关断，从而使所述三极管Q9关断，负载无法通过所述电阻R11和所述三极管Q9获得电源 VO。
    [n0011] 进一步地，所述双运算放大器U1的内部包括两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器，所述双运算放大器U1的引脚1、引脚2以及引脚3为第一路集成运放，用于所述接口NPN-OUT输出过流保护；所述双运算放大器U1 的引脚5、引脚6以及引脚7为第二路集成运放，用于所述接口PNP-OUT输出过流保护。
    [n0012] 进一步地，所述双运算放大器U1的型号为LM358。
    [n0013] 进一步地，所述三极管Q10为NPN型。
    [n0014] 进一步地，所述三极管Q9、Q16以及Q17为PNP型。
    [n0015] 进一步地，所述MOS管Q14和Q15为N沟道增强型MOS管。
    [n0016] 与现有技术相比较，本实用新型的有益效果在于，本实用新型提供的安全光栅输出保护电路，用于光同步安全光栅输出驱动电路，通过实现对接口 NPN-OUT的输出进行过流与过压保护，以及对接口PNP-OUT的输出进行过流保护，解决了负载被干扰或者在启动瞬间出现负载超载时，驱动三极管被烧毁而导致安全光栅输出驱动电路无法工作的问题。
    [n0017] 为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
    [n0018] 图1是本实用新型实施例提供的安全光栅输出保护电路的电路原理图。
    [n0019] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
    [n0020] 本实用新型的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
    [n0021] 以下结合附图与具体实施例，对本实用新型的技术方案做详细的说明。
    [n0022] 如图1所示，本实用新型提供的安全光栅输出保护电路，用于光同步安全光栅输出驱动电路，包括双运算放大器U1，MOS管Q14和Q15，三极管Q9、 Q10、Q16、Q17，熔断器DB3和DB4，稳压二极管DZ1，二极管D7、D8、D4、 D10、D9、D3、D11，电容C27、C29、C22、C28、C16、C20、C23、C17，电阻R36、R37、R38、R39、R43、R44、R46、R40、R41、R47、R42、R20、R23、 R12、R29、R17、R11、R24；所述双运算放大器U1的引脚1连接所述二极管 Q7的正极，所述二极管Q7的负极分别连接所述电容C27的一端、所述电阻R39 的一端以及所述MOS管Q14的栅极，所述电容C27的另一端和所述电阻R39 的另一端分别接地，所述MOS管Q14的源极接地，所述MOS管Q14的漏极分别连接所述电阻R20的一端、所述电容C22的一端以及所述电阻R23的一端，所述电容C22的另一端和所述电阻R23的另一端分别接地，所述电阻R20的另一端连接MCU输出端PN-OUT，所述电阻R23的一端还连接所述三极管Q10 的基极，所述三极管Q10的发射极分别连接端子NPN-CK和所述电阻R29的一端，所述电阻R29的另一端接地，所述三极管Q10的集电极分别连接R12的一端、所述熔断器DB4的一端和所述二极管D4的正极的连接点，所述熔断器DB4的一端和所述二极管D4的正极的连接点还连接所述电容C20的一端与所述电容 C16的一端的连接点、所述稳压二极管DZ1的负极以及所述电阻R17的一端，所述熔断器DB4的另一端连接接口NPN-OUT，所述电容C20和所述稳压二极管DZ1的正极分别接地，所述电阻R17的另一端分别连接所述三极管Q16的集电极和所述三极管Q9的基极，所述三极管Q9的发射极分别连接所述电阻R11 的一端和所述电阻R42的一端，所述三极管Q9的集电极分别连接所述熔断器 DB3的一端和所述电阻R24的一端，所述电阻R24的另一端接地，所述熔断器 DB3的一端还分别连接所述二极管D3的正极与所述电容C17的一端的连接点、所述电容C23的一端，所述电容C23的另一端接地，所述熔断器DB3的另一端连接接口PNP-OUT，所述电阻R12的另一端、所述二极管D4的负极、所述电容C16的另一端、所述电阻R11的另一端、所述二极管D3的负极以及所述电容C17的另一端相连后接电源VO，所述电容C17的另一端还连接所述二极管 D11的负极，所述二极管D11的正极连接电压输入端VIN；
    [n0023] 所述双运算放大器U1的引脚2分别连接所述电阻R36的一端和所述电阻 R37的一端，所述电阻R37的另一端接地，所述电阻R36的另一端接电源5V；所述双运算放大器U1的引脚3连接所述电阻R38的一端，所述电阻R38的另一端连接所述端子NPN-CK，所述双运算放大器U1的引脚4接地，所述双运算放大器U1的引脚8分别连接所述电容C29的一端和电源5V，所述电容C29的另一端接地，所述双运算放大器U1的引脚6分别连接所述电阻R43的一端和所述电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端接地，所述电阻R43的另一端接电源5V；
    [n0024] 所述双运算放大器U1的引脚5分别连接所述电阻R40的一端和所述电阻 R41的一端，所述电阻R40的另一端接地，所述电阻R41的另一端连接所述三极管Q17的集电极，所述三极管Q17的发射极接电源VO，所述三极管Q17的基极连接所述二极管D9的正极，所述二极管D9的负极连接所述二极管D10的正极，所述二极管D10的负极连接所述电阻R42的另一端；所述双运算放大器 U1的引脚7连接所述二极管D8的正极，所述二极管D8的负极依次连接所述电阻46的一端和所述电容C28的一端以及所述MOS管Q15的栅极，所述电阻 R46的另一端和所述电容C28的另一端分别接地，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述电阻R47的一端，所述电阻R47的另一端连接所述三极管Q16的基极，所述三极管Q16的发射极连接电源VO。
    [n0025] 上述技术方案提供的安全光栅输出保护电路，用于光同步安全光栅输出驱动电路，与现有技术相比，本实用新型解决了负载被干扰或者在启动瞬间出现负载超载时，驱动三极管被烧毁而导致安全光栅输出驱动电路无法工作的问题。
    [n0026] 作为本实用新型的一种实施方式，参照图1，所述接口NPN-OUT通过连接负载，经过所述熔断器DB4、所述三极管Q10、所述电阻R29到地线形成NPN 输出方式的电流回路。
    [n0027] 作为本实用新型的一种实施方式，参照图1，所述接口PNP-OUT通过连接负载，经过所述熔断器DB3、所述三极管Q9、所述电阻R11到电源VO形成 PNP输出方式的电流回路。
    [n0028] 作为本实用新型的一种实施方式，参照图1，所述NPN输出方式用于在负载回路起到开关作用，所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号经过所述电阻R20传递至所述三极管Q10的控制脚，所述三极管Q10用于实现负载回路的开关作用；所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为高电平时，所述三极管Q10接通，负载回路导通；所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为低电平时，所述三极管Q10关断，负载回路断开。
    [n0029] 作为本实用新型的一种实施方式，参照图1，所述PNP输出方式用于为负载提供受控电源，所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为高电平时，所述三极管Q10接通，从而使所述三极管Q9接通，电源VO通过所述电阻R11 和所述三极管Q9提供至负载；所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为低电平时，所述三极管Q10关断，从而使所述三极管Q9关断，负载无法通过所述电阻R11和所述三极管Q9获得电源VO。
    [n0030] 作为本实用新型的一种实施方式，所述双运算放大器U1的内部包括两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器，所述双运算放大器U1的引脚1、引脚2以及引脚3为第一路集成运放，用于所述接口NPN-OUT输出过流保护；所述双运算放大器U1的引脚5、引脚6以及引脚7为第二路集成运放，用于所述接口PNP-OUT输出过流保护。
    [n0031] 具体地，所述双运算放大器U1的型号为LM358。
    [n0032] 具体地，所述三极管Q10为NPN型。
    [n0033] 具体地，所述三极管Q9、Q16以及Q17为PNP型。
    [n0034] 具体地，所述MOS管Q14和Q15为N沟道增强型MOS管。
    [n0035] 接口NPN-OUT的输出过流保护原理如下：
    [n0036] 双运算放大器U1的引脚2为运放的负极，由电源5V通过电阻R36和电阻 R37分压后，得到0.9V的基准电压，电阻R29为电流取样电阻，当流过的电流超过阀值(180mA)时，在电阻R29上面产生0.91V电压，对应端子NPN-CK，该0.91V电压通过电阻R38传递到双运算放大器U1的运放正极的引脚3，由于运放的正极电压比负极电压高0.01V，该0.01V经过运算放大后，在引脚1输出 5V的电压，该5V电压经过二极管D7(防止回流)，然后对电容C27进行充电，充满后使MOS管Q14导通，MOS管Q14导通后将三极管Q10的控制脚拉到 0V，从而关断三极管Q10的输出，防止三极管Q10过电流而烧坏；三极管Q10 关断后，电阻R29的电流降到0，对应的双运算放大器U1的引脚3的电压也为 0，此时双运算放大器U1的引脚2比引脚3的电压高，经运放放大后，双运算放大器U1的引脚1输出0V电压。由于二极管D7的单向导通特性，所以电容 C27储存的电荷只能通过电阻R39进行释放，在释放完之前，MOS管Q14一直保持导通状态来保护三极管Q10，直到电容C27储存的电荷放完后，MOS管 Q14截止，三极管Q10恢复输出，这就是接口NPN-OUT的输出过流保护电路的保护原理以及自恢复原理。
    [n0037] 接口NPN-OUT的过压保护原理如下：
    [n0038] 稳压二极管DZ1为一个30V的TVS管，当接口NPN-OUT上的电压超过 30V时，稳压二极管DZ1立即导通，从而吸收接口NPN-OUT上的能量，保护三极管Q10因过电压而击穿；当接口NPN-OUT上的电压降下来后，稳压二极管DZ1截止，从而使电路正常恢复工作。
    [n0039] 接口PNP-OUT的输出过流保护原理如下：
    [n0040] 保护原理与接口NPN-OUT的输出过流保护原理类似。5V电压通过电阻R43 与电阻R44分压后，得到的基准电压0.56V加在双运算放大器U1的引脚6的运放负极，电阻R11为过流取样电阻，当其流过的电流超过阀值(180mA)时，对应的三极管Q9上的电压将下降0.91V，此时三极管Q17的C极将输出更大的电流，并通过电阻R41以及电阻R40分压后，得到0.57V的电压，该0.57V电压将加到双运算放大器U1的引脚5的运算正极，由于运放的正极电压比负极电压高0.01V，该0.01V经过运算放大后，在双运算放大器U1的引脚7脚输出5V 的电压，该5V电压经过二极管D8(防止回流)，然后对电容C28进行充电，充满后使MOS管Q15导通，再使三极管Q16导通，三极管Q16导通后，将把电压VO加到三极管Q9的控制极，从而使三极管Q9截止，防止三极管Q9过电流而烧坏，三极管Q9截止后，电阻R11的电流降到0，三极管Q9的E极电压升到等于电压VO的电压，从而使三极管Q17截止，双运算放大器U1的引脚 5的电压降到0，此时双运算放大器U1的引脚6比引脚5的电压高，经运放放大后，双运算放大器U1的引脚7输出0V电压。由于二极管D8的单向导通特性，所以电容C28储存的电荷只能通过电阻R46进行释放，在释放完之前，MOS 管Q15和三极管Q16一直保持导通状态来保护三极管Q9，直到电容C28储存的电荷放完后，MOS管Q15和三极管Q16截止，三极管Q9恢复输出，这就是接口PNP-OUT的输出过流保护电路的保护原理以及自恢复原理。
    [n0041] 综上所述，本实用新型通过实现对接口NPN-OUT的输出进行过流与过压保护，以及对接口PNP-OUT的输出进行过流保护，从而避免用户在应用上，出现接错线(把NPN-OUT接口线接到了电源正极，把PNP-OUT接口线接到了电源负极，或者把NPN-OUT线和PNP-OUT线短接了)，或者负载超载时，烧坏光栅的驱动三极管，即：接口NPN-OUT输出对应的三极管Q10以及接口PNP-OUT 输出对应的三极管Q9；当负载被干扰或者在起动的一瞬间出现超载时，本保护电路立即工作，关闭三极管Q10或三极管Q9的输出，从而避免三极管Q10和三极管Q9应过流而烧坏；当负载恢复正常时，本保护电路检测后，立即关闭，从而恢复三极管Q10和三极管Q9的输出。即实现了自恢复功能。
    [n0042] 以上对本实用新型的实施例进行了详细的说明，但本实用新型的创造并不限于本实用新型，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下，还可以做出许多同等变型或替换，这些同等变型或替换均包含在本申请的权利要求所限定的保护范围内。
    权利要求:
    Claims (10)
    [0001] 1.安全光栅输出保护电路，其特征在于，用于光同步安全光栅输出驱动电路，包括双运算放大器U1，MOS管Q14和Q15，三极管Q9、Q10、Q16、Q17，熔断器DB3和DB4，稳压二极管DZ1，二极管D7、D8、D4、D10、D9、D3、D11，电容C27、C29、C22、C28、C16、C20、C23、C17，电阻R36、R37、R38、R39、R43、R44、R46、R40、R41、R47、R42、R20、R23、R12、R29、R17、R11、R24；所述双运算放大器U1的引脚1连接所述二极管Q7的正极，所述二极管Q7的负极分别连接所述电容C27的一端、所述电阻R39的一端以及所述MOS管Q14的栅极，所述电容C27的另一端和所述电阻R39的另一端分别接地，所述MOS管Q14的源极接地，所述MOS管Q14的漏极分别连接所述电阻R20的一端、所述电容C22的一端以及所述电阻R23的一端，所述电容C22的另一端和所述电阻R23的另一端分别接地，所述电阻R20的另一端连接MCU输出端PN-OUT，所述电阻R23的一端还连接所述三极管Q10的基极，所述三极管Q10的发射极分别连接端子NPN-CK和所述电阻R29的一端，所述电阻R29的另一端接地，所述三极管Q10的集电极分别连接R12的一端、所述熔断器DB4的一端和所述二极管D4的正极的连接点，所述熔断器DB4的一端和所述二极管D4的正极的连接点还连接所述电容C20的一端与所述电容C16的一端的连接点、所述稳压二极管DZ1的负极以及所述电阻R17的一端，所述熔断器DB4的另一端连接接口NPN-OUT，所述电容C20和所述稳压二极管DZ1的正极分别接地，所述电阻R17的另一端分别连接所述三极管Q16的集电极和所述三极管Q9的基极，所述三极管Q9的发射极分别连接所述电阻R11的一端和所述电阻R42的一端，所述三极管Q9的集电极分别连接所述熔断器DB3的一端和所述电阻R24的一端，所述电阻R24的另一端接地，所述熔断器DB3的一端还分别连接所述二极管D3的正极与所述电容C17的一端的连接点、所述电容C23的一端，所述电容C23的另一端接地，所述熔断器DB3的另一端连接接口PNP-OUT，所述电阻R12的另一端、所述二极管D4的负极、所述电容C16的另一端、所述电阻R11的另一端、所述二极管D3的负极以及所述电容C17的另一端相连后接电源VO，所述电容C17的另一端还连接所述二极管D11的负极，所述二极管D11的正极连接电压输入端VIN；
    所述双运算放大器U1的引脚2分别连接所述电阻R36的一端和所述电阻R37的一端，所述电阻R37的另一端接地，所述电阻R36的另一端接电源5V；所述双运算放大器U1的引脚3连接所述电阻R38的一端，所述电阻R38的另一端连接所述端子NPN-CK，所述双运算放大器U1的引脚4接地，所述双运算放大器U1的引脚8分别连接所述电容C29的一端和电源5V，所述电容C29的另一端接地，所述双运算放大器U1的引脚6分别连接所述电阻R43的一端和所述电阻R44的一端，所述电阻R44的另一端接地，所述电阻R43的另一端接电源5V；
    所述双运算放大器U1的引脚5分别连接所述电阻R40的一端和所述电阻R41的一端，所述电阻R40的另一端接地，所述电阻R41的另一端连接所述三极管Q17的集电极，所述三极管Q17的发射极接电源VO，所述三极管Q17的基极连接所述二极管D9的正极，所述二极管D9的负极连接所述二极管D10的正极，所述二极管D10的负极连接所述电阻R42的另一端；所述双运算放大器U1的引脚7连接所述二极管D8的正极，所述二极管D8的负极依次连接所述电阻46的一端和所述电容C28的一端以及所述MOS管Q15的栅极，所述电阻R46的另一端和所述电容C28的另一端分别接地，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述电阻R47的一端，所述电阻R47的另一端连接所述三极管Q16的基极，所述三极管Q16的发射极连接电源VO。
    [0002] 2.根据权利要求1所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述接口NPN-OUT通过连接负载，经过所述熔断器DB4、所述三极管Q10、所述电阻R29到地线形成NPN输出方式的电流回路。
    [0003] 3.根据权利要求2所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述接口PNP-OUT通过连接负载，经过所述熔断器DB3、所述三极管Q9、所述电阻R11到电源VO形成PNP输出方式的电流回路。
    [0004] 4.根据权利要求3所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述NPN输出方式用于在负载回路起到开关作用，所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号经过所述电阻R20传递至所述三极管Q10的控制脚，所述三极管Q10用于实现负载回路的开关作用；所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为高电平时，所述三极管Q10接通，负载回路导通；所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为低电平时，所述三极管Q10关断，负载回路断开。
    [0005] 5.根据权利要求4所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述PNP输出方式用于为负载提供受控电源，所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为高电平时，所述三极管Q10接通，从而使所述三极管Q9接通，电源VO通过所述电阻R11和所述三极管Q9提供至负载；所述MCU输出端PN-OUT输出的控制信号为低电平时，所述三极管Q10关断，从而使所述三极管Q9关断，负载无法通过所述电阻R11和所述三极管Q9获得电源VO。
    [0006] 6.根据权利要求3所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述双运算放大器U1的内部包括两个独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器，所述双运算放大器U1的引脚1、引脚2以及引脚3为第一路集成运放，用于所述接口NPN-OUT输出过流保护；所述双运算放大器U1的引脚5、引脚6以及引脚7为第二路集成运放，用于所述接口PNP-OUT输出过流保护。
    [0007] 7.根据权利要求6所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述双运算放大器U1的型号为LM358。
    [0008] 8.根据权利要求1所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述三极管Q10为NPN型。
    [0009] 9.根据权利要求1所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述三极管Q9、Q16以及Q17为PNP型。
    [0010] 10.根据权利要求1所述的安全光栅输出保护电路，其特征在于，所述MOS管Q14和Q15为N沟道增强型MOS管。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2021-10-01| GR01| Patent grant|
    2021-10-01| GR01| Patent grant|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    CN202022854410.6U|CN214337548U|2020-12-01|2020-12-01|安全光栅输出保护电路|CN202022854410.6U| CN214337548U|2020-12-01|2020-12-01|安全光栅输出保护电路|
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